长飞先进半导体完成超38亿元A轮融资刷新最高纪录投资方阵容豪华
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近日,长飞先进半导体有限公司完成超38亿元A轮股权融资,用于建设第三代半导体功率器件生产项目,这个融资金额,创下国内第三代半导体私募股权融资规模历史之最,并刷新2023年以来半导体私募股权融资市场单笔最大融资规模记录。新增投资方包括光谷金控、浙江国改基金、中平资本、中建材新材料产业基金、中金资本旗下基金、海通并购基金、国元金控集团旗下基金、鲁信创投、东风资产、建信信托、十月资本、华安嘉业、中互智云、宝樾启承、云岫资本等,涵盖实力地方国资、产业资本、顶级投资机构。老股东长飞光纤、天兴资本等本轮持续追加。
▍投资标的
一、公司简介
1.长飞先进半导体成立于2018年1月,总部位于安徽芜湖,是一家第三代半导体研发生产服务商,专注于以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体产品的工艺研发和代工制造。具有国内一流、最完整的6英寸产线设备和最先进的配套系统,具备从外延材料、芯片制造到模块封测的全流程代工能力,是目前国内工序最全、综合产能最大、代工周期最短的宽禁带半导体专业代工产线。
二、领域概况
1.第三代半导体,指的是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料。与前两代半导体材料相比,其最大的优势是较宽的禁带宽度,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率的电子器件,因此在5G基站、新能源车、光伏、风电、高铁等领域有着很大应用潜力。我国在第三代半导体领域与国际先进技术的差距较小,且新能源发展国际领先、有广泛的第三代半导体应用市场,因此这一赛道也被普遍认为是中国在半导体领域“换道超车”的重要机会,受到了政策的高度重视。
2.根据CASA的预测,在国家政策的支持和下游需求增长的背景下,预计未来五年,我国SiC、GaN电力电子器件应用市场将以45%的年复合增长率增长至2027年的超660亿元;GaN微波射频器件市场规模,将以22%的年均复合增长率增长至2027年的超240亿元。2027年第三代半导体整体市场规模,有望超过900亿元。
三、核心竞争力
1.在产品方面,目前长飞先进半导体产品覆盖650V~3300V全电压平台的SiC MOSFET和SBD,应用于车载主驱、车载OBC、光伏逆变器、充电桩逆变器、工业电源等全场景。公司目前晶圆代工产品超过50款,自营产品超过20款,其中1200V 15mΩ SiC MOSFET产品已经开始导入市场,面向车载主驱逆变器应用场景,比导通电阻做到国内领先,与国际大厂并跑。
2.在团队方面,长飞先进半导体引进了近百名拥有半导体国际大厂背景核心团队成员,核心团队成员平均15年以上行业从业经验。长飞先进半导体累计申请专利102余项,其中发明专利61项。公司已建成上海技术中心,正在建设武汉技术中心、欧洲技术中心、日本技术中心。
▍投资机构
中平资本
中平资本于2016年6月由金融行业多名资深专家组建成立,致力于成为中国一流、全球有影响力的另类投资平台。中平资本已于2016年9月获得中国证券投资基金业协会私募基金管理人资格。公司管理基金的主要类别为股权、创业投资基金。目前中平资本旗下资产管理规模达300亿人民币,主要以股权及并购投资为主,重点投资方向为健康医疗、智能制造及新材料、环保新能源、TMT、金融服务行业。
财联社创投通-执中数据显示,截至目前,中平资本在管基金15只,对外投资事件累计21项,涉及公司20家,其中进入次轮11项,多次被投公司2家,拟上市公司1家。投资轮次主要有股权投资、A轮、B轮等,主要涉及先进制造、生产制造、企业服务等领域。
公司测评:由财联社创投通发起,旨在研究公司科创实力,凭借企业科创力评估模型,从技术质量、专利布局、技术影响力、公司竞争力、研发规模和稳定性等维度,挖掘最具科创实力的公司。
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