12月21日讯（编辑 周子意）随着内存市场逐渐恢复，三星和SK海力士等存储器巨头预计将在明年大幅扩大设备投资。

三星电子计划将投资规模扩大25%，SK海力士计划将投资规模扩大到今年的2倍以上，同时两家公司还计划增加生产能力。

增加投资和产能

据韩国媒体ETNEWS报道，三星和SK海力士都计划在2024年增加半导体设备投资。三星电子预计投资27万亿韩元（约207.8亿美元），较今年增长25%；而SK海力士计划投资5.3万亿韩元（约40.7亿美元），比今年增加100%。

除了增加半导体设备投资外，三星电子和SK海力士也提高了2024年的产能目标。三星电子计划将DRAM和NAND闪存的产量增加约24%，而SK海力士的目标是将DRAM产量恢复到2022年底的水平。

从市场份额来看，根据TrendForce发布的数据，就今年第三季度收入数据而言，三星在DRAM市场的份额约为38.9%，而SK海力士的市场份额为34.3%；在NAND领域，三星电子的市场占有率为31.4%，SK海力士为20.2%。

DRAM和NAND市场由于长期供过于求，主要制造商去年起都采取了减产的方式，这种情况直到近期才有所缓解。

业界普遍认为，未来一些与人工智能相关的应用将需要大容量内存支持。例如，根据TrendForce的报告，预计明年全球智能手机出货量将增长3%，这将有助于扩大高价值内存市场的需求。

同时，TrendForce指出，最近有关内存制造商扩大投资和提高产能的消息主要是受HBM市场需求增长的驱动，而不是所有产品的产能扩张。

不过，在内存价格反弹的情况下，两家韩国企业的大规模投资计划，还是令部分市场人士感到担忧。业界认为，提高产能利用率不是一个瞬间完成的过程，存储器产业可能面临新的挑战。