一文看懂GaN在射频和电子中的应用
由于2 月13 日小米在新品发表会中,除了推出小米10 系列外,更宣布采用氮化镓(GaN) 作为原料的充电器,一时间原本GaN 在射频领域热烧的话题,快速延烧至电池产业。GaN 是极为稳定的化合物,又是坚硬和熔点高的材料,其熔点为高达1700℃。
由于2 月13 日小米在新品发表会中,除了推出小米10 系列外,更宣布采用氮化镓(GaN) 作为原料的充电器,一时间原本GaN 在射频领域热烧的话题,快速延烧至电池产业。GaN 是极为稳定的化合物,又是坚硬和熔点高的材料,其熔点为高达1700℃。
格隆汇9月7日丨有投资者向国博电子(688375.SH)提问:公司在第三代半导体的布局如何,对于公司T/R组件,有无布局上游芯片的计划?国博电子回复:公司自主研制的GaN射频芯片已在T/R组件中得到广泛的工程应用。公司开发的GaN射频模块完整产品系列覆盖DC-10GHz,主要应用于4G、5G基站设备
金融界11月2日消息,国博电子披露投资者关系活动记录表显示,公司射频集成电路产业化项目一期已投入使用,同时募投项目加快实施落地,造成固定资产折旧费用也随之增加。公司针对固定资产制定了具体的会计政策和折旧方法,按照使用年限进行折旧,这部分费用一直属于公司固定支出账目,不会对公司经营和利润产生重大影响。
美迪凯:射频晶圆封装产能达4000K/月 纳米压印产品预计明年Q1批量出货|直击业绩会