韩国首尔2024年6月19日 /美通社/ -- 韩国8英寸晶圆代工厂SK启方半导体（SK keyfoundry）今日宣布，已确保新一代功率半导体GaN（氮化镓）的关键器件特性。公司正在加大GaN的开发力度，力争在年内完成开发工作。

SK启 方半 导 体 持续 关 注着 GaN功率半 导 体的市 场 和潜力。 为 此，公司于 2022年成立了一 个专职团队来 推 动 GaN工 艺 的 开发 。日前，公司已得到 650V GaN HEMT的新器件特性， 并计划 在今年年底完成 开发工作 。

由于 650V GaN HEMT具有 较 高的功率效率，因此 与 硅基 产 品相比，可以降低散 热 器的成本。也正因如此， 与 硅基 产 品相比， 终 端客 户 系 统 的价格差 异较 小。 该 公司 预计 ，硅基 650V 产 品 将为 快速充 电 适配器、 LED照明、 数 据中心和 ESS以及太 阳 能微型逆 变 器等市 场 的无晶 圆厂 客 户带来开发优质产 品的 优势 。除了 争 取新客 户 外， SK 启 方半 导 体 还计划积极 向 对 650V GaN HEMT技 术 感 兴 趣的 现 有功率半 导 体工 艺 客 户 推广 该 技 术 。

GaN具有高速开关、低导通电阻等特性，与硅基半导体相比，具备低 损 耗、高效率和小型化的优越特性 ，因此被称为新一代功率半导体。据市场调研 公司OMDIA预测，GaN功率半导体市场将以33%的复合年增长率增长，从2023年的5亿美元增至2032年的64亿美元，主要用于电源、混合动力、电动汽车以及太阳能逆变器。

SK 启 方半 导 体表示，公司 计划 以 650V GaN HEMT 为 基 础 ，打造 GaN 产 品 组 合，可 为 GaN HEMT和GaN IC提供多 种电压 支持 。

SK启方半导体首席执行官Derek D. Lee表示："除了具有竞争力的高压BCD外，我们还在为下一代功率半导体做准备。我们还将扩 大功率半 导体产品组合，未来除GaN以外，还将开发SiC（碳化硅），以确立我们作为专业功率半导体代工厂的地位。"