《科创板日报》10月31日讯（编辑 邱思雨） 存储龙头厂商三星电子交出了第三季度“答卷”。

三星电子第三季度销售额67.40万亿韩元，预估67.62万亿韩元；第三季度净利润5.50万亿韩元，预估2.52万亿韩元。

在存储业务方面，由于高附加值产品的销售量增长以及产品平均售价有所上升，存储业务亏损持续缩窄。对于2024年的展望，三星认为，尽管宏观经济仍然具有不确定性，但存储市场有望复苏，预计2024年DRAM需求将增加。

三星电子表示，通过增加高密度产品的销售以及客户库存调整完成，PC和移动端的需求得到了改善。另外，AI相关需求仍然旺盛。

三星表示，存储业务以提高盈利能力为重点，将持续扩大HBM、DDR5、LPDDR5x和UFS 4.0等产品的销售规模，并积极调整生产规模以降低库存水平。总体而言，相比第二季度，DRAM和NAND的平均售价有了不错的增长。

另外，三星表示第四季度将增加HBM3芯片的销售，以应对AI需求的增加。

另一存储龙头SK海力士在第三季度的亏损也比上一季度大幅缩小。SK海力士表示，其销售用于科技设备的DRAM芯片的业务，在第三季度重新盈利，而今年前两个季度都是亏损的。

存储模组厂威刚近日亦指出，从接单力度来看，客户回补库存力道持续，预计存储报价至少涨到2024年上半年。

Q4存储产品价格或将全面上涨

存储产品价格方面，三季度期间，主流存储价格持续回暖。

据中信证券统计，DRAM方面，高端DRAM（DDR5）合约价格稳定，主流DRAM（DDR4）价格由跌转涨，多数产品价格出现上涨，9月涨幅最高23.81%；利基DRAM（DDR3）价格涨幅最高到23.81%，价格均出现反弹。

NAND Flash方面，9月NAND Flash价格持续回升，环比最高增长19.87%。其中，512Gb价格连续三月环比上涨，256Gb价格连续两个月环比上涨，128Gb价格保持稳定。

据研究机构TrendForce近期报告，自第四季起DRAM与NAND Flash均价开始全面上涨，预计DRAM第四季度合约价将止跌回升，涨幅为3-8%；NAND Flash第四季合约价有望全面起涨，涨幅约8-13%。

中信证券研报指出行业周期角度，海外大厂稼动控制下存储供需逐渐改善，看好产业链公司2024全年业绩将持续改善。预计今年下半年，随库存去化，需求逐步回归，未来行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇。

信达证券亦表明，伴随原厂维持缩减产出和惜售的供给策略，以及需求端逐步好转，存储价格涨势或将延续至明年上半年。建议关注江波龙、德明利、兆易创新、东芯股份、普冉股份等。