中电科55所碳化硅芯片样品流片第三代半导体百亿市场空间可期
近日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率等指标具有显著优势，可满足现代工业对高功率、高
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碳化硅供需持续紧缺龙头Wolfspeed获20亿美元融资海内外厂商扩产“进行时”
《科创板日报》6月26日讯 据彭博社报道，第三代半导体公司Wolfspeed获得20亿美元融资，以阿波罗全球资产管理公司（Apollo Global Management Inc.）为首的一组投资人领投。据悉，Wolfspeed能够立即获得12.5亿美元现金支持，另外7.5亿美元在之后提取，结构是七
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碳化硅后的下一个热点？英飞凌加快绘制氮化镓路线图
《科创板日报》3月3日讯（编辑 宋子乔） 第三代半导体来到十字路口的当下，车用芯片龙头厂商英飞凌踩了一脚油门。当特斯拉在投资日宣布下一代驱动单元将减少75%碳化硅（SiC）的消息后，天岳先进、东尼电子、晶盛机电、乾照光电等多只概念股应声“跳水”。不过，当特斯拉“动动嘴皮子”带崩板块，汽车芯片大厂仍在
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碳化硅龙头忙扩产需求旺盛成共识电动车、光储成有力推手
《科创板日报》9月13日讯（编辑 宋子乔） 需求高涨之下，近期，碳化硅（SiC）行业的头部企业如Wolfspeed、安森美均披露了最新扩产计划。Wolfspeed宣布将建造世界上最大的碳化硅材料工厂，旨在将公司在北卡罗来纳州的碳化硅材料的产能提高10倍以上；安森美计划在今年将碳化硅衬底产能扩充4倍，
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氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）到底谁该pick谁？
GPT氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适
