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  • ZOL推荐2023：倍思DigitalGaN氮化镓桌面快充240W超强桌面神器获奖

    ZAO 2023中关村在线年度观察项目推选年度优质科技产品，授予“ZOL推荐”产品称号，表彰2023年度优秀科技产品，治好你的选择困难症。2023ZOL年度推荐产品：倍思 Digital GaN 氮化镓数字电源智能桌面快充充电器 240W获奖理由：倍思 DigitalGaN 氮化镓数字电源智能桌面快

  • 半导体巨头英飞凌重金押注！氮化镓未来市场规模望超千亿，产业链受益上市公司梳理

    财联社3月26日讯（编辑 宣林）欧洲芯片制造商英飞凌近期官宣以8.3亿美元现金（57亿人民币）收购氮化镓全球技术领导者GaN Systems，并斥资20亿欧元扩大其位于马来西亚居林和奥地利菲拉赫工厂的氮化镓和碳化硅芯片的产能。英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示，英飞凌特别看好氮化镓（GaN）芯片。该

  • AI时代催生氮化镓新增量市场英诺赛科等厂商加速入局

    随着第四次全球工业革命推动电子及AI（人工智能）驱动应用的快速增长，各行业对更高效、更经济的电力供应设备的需求正在上升。传统硅半导体器件因其固有限制而无法满足该等应用的需求。　　作为最新一代半导体材料，氮化镓半导体器件近年来已广泛应用于各行各业，有望在功率半导体行业的持续变革中发挥关键作用。而AI的

  • 氮化镓逆变器成功应用于电动汽车

    日本一研究团队近日宣布，他们利用半导体材料氮化镓（GaN）研发的逆变器，已首次成功应用在电动汽车上，有望让电动汽车节能20%以上。该研究团队由2014年诺贝尔物理学奖得主之一、日本名古屋大学教授天野浩领导。

  • 「GaN初识-1」神奇的「氮化镓」

    GAN导 读在一些电力电子应用中，宽带隙材料已开始取代硅。目前，氮化镓（GaN）可能是电力电子领域最具挑战性的技术，它可以开发出功率密度更高、导通电阻更小、开关频率极高的器件。01.氮化镓初识氮化镓这种半导体材料的宽带隙可产生高临界电场，与具有相同额定电压的硅基器件相比，

  • 氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）到底谁该pick谁？

    GPT氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适

  • 9.4-9.8氮化镓（GaN）行业新闻

    TensorFlow01垂直型GaN-on-GaN优势作为第三代半导体的翘楚，大量厂商力图在GaN上实现技术突破以抢占市场先机，为了让功率 GaN 达到更高的击穿电压（>1200V），部分技术创新已经登上舞台，例如垂直 GaN-on-GaN，以及通过使用电隔离衬底实现更多单片集成。首先是垂直型 Ga

  • iPhone16苹果新机上线，倍思发布苹果同源PI芯片的GaN6Pro氮化镓快充充电器

    Baseus倍思随iPhone 16系列发布，推出了搭载苹果同源PI芯片45W超级快充产品——GaN6 Pro氮化镓快充充电器。作为快充领域氮化镓技术引领者，倍思在该产品中应用第6代GaN6 Pro氮化镓技术，产品性能全面飙升，同色苹果美学，莱茵认证安全背书，低温保护倍安心，倍思在实用而美的理念指引

  • 英飞凌完成以8.3亿美元收购氮化镓系统公司

    当地时间10月24日，英飞凌科技宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems）。这家总部位于加拿大渥太华的公司已正式成为英飞凌的组成部分。今年3月2日，英飞凌宣布将斥资8.3亿美元收购氮化镓系统公司。（文章来源：界面新闻）

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