氮化镓逆变器成功应用于电动汽车
日本一研究团队近日宣布,他们利用半导体材料氮化镓(GaN)研发的逆变器,已首次成功应用在电动汽车上,有望让电动汽车节能20%以上。该研究团队由2014年诺贝尔物理学奖得主之一、日本名古屋大学教授天野浩领导。
日本一研究团队近日宣布,他们利用半导体材料氮化镓(GaN)研发的逆变器,已首次成功应用在电动汽车上,有望让电动汽车节能20%以上。该研究团队由2014年诺贝尔物理学奖得主之一、日本名古屋大学教授天野浩领导。
GAN导 读在一些电力电子应用中,宽带隙材料已开始取代硅。目前,氮化镓(GaN)可能是电力电子领域最具挑战性的技术,它可以开发出功率密度更高、导通电阻更小、开关频率极高的器件。01.氮化镓初识氮化镓这种半导体材料的宽带隙可产生高临界电场,与具有相同额定电压的硅基器件相比,
GPT氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特性:耐压高,导通电阻小,寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性:氮化镓晶体管的极小寄生参数,极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动,高可靠等特性使其适
TensorFlow01垂直型GaN-on-GaN优势作为第三代半导体的翘楚,大量厂商力图在GaN上实现技术突破以抢占市场先机,为了让功率 GaN 达到更高的击穿电压(>1200V),部分技术创新已经登上舞台,例如垂直 GaN-on-GaN,以及通过使用电隔离衬底实现更多单片集成。首先是垂直型 Ga
Baseus倍思随iPhone 16系列发布,推出了搭载苹果同源PI芯片45W超级快充产品——GaN6 Pro氮化镓快充充电器。作为快充领域氮化镓技术引领者,倍思在该产品中应用第6代GaN6 Pro氮化镓技术,产品性能全面飙升,同色苹果美学,莱茵认证安全背书,低温保护倍安心,倍思在实用而美的理念指引
当地时间10月24日,英飞凌科技宣布完成收购氮化镓系统公司(GaN Systems)。这家总部位于加拿大渥太华的公司已正式成为英飞凌的组成部分。今年3月2日,英飞凌宣布将斥资8.3亿美元收购氮化镓系统公司。(文章来源:界面新闻)
GAN据媒体报道,日前,氮化镓(GaN)功率半导体全球领导厂商GaN Systems宣布与上海安世博能源科技策略结盟,共同致力于加速并扩大氮化镓功率半导体于电动车应用的发展。安世博能源科技为电源行业领导厂商,拥有完整电源供应器、电动车充电模块及车载充电器产品解决方案。
4月15日,川观新闻记者从电子科技大学信息与量子实验室获悉,近日,研究团队与清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作,在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片,这也是电子科技大学“银杏一号”城域
IT之家 4 月 23 日消息,据 MacRumors 报道,最初于 1 月份在 CES 上宣布,Anker 的美国版 736 USB 充电器现在可通过亚马逊以 75.99 美元(约 490.14 元人民币)价格购买,有黑色、银色款。采用了 Anker 的 GaN II 技术,100W 736 充电
GAN氮化镓正取代硅,越来越多地用于需要更大功率密度和更高能效的应用中作为提供不间断连接的关键,许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。氮化镓技术,通常称为 GaN,是一种宽带隙半导体材料,越来越多地用于高电压应用。